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三星成功开发DDR5芯片,但缺关键环节,商用有待时日!

2020/2/13 17:38:23      点击:

随着现代计算机能力的不断发展,推动着存储器件朝着更高性能的方向发展。DDR5作为DDR4的后继者,能支持更快的传输速率和更高的容量。近日,三星电子宣布成功开发DDR5芯片,可提供更强大、更可靠的性能,支持现代服务器不断增长的需求。

三星DDR5芯片采用新型的硅通孔(TSV) 8 层技术,与DDR4相比,该技术使得DDR5的单个芯片能够包含两倍的堆栈数量。每个双列直插式存储模块(DIMM)还提供高达512GB的存储空间。其数据传输速度高达4800 MT/s,专门用于处理繁重的工作负载。此外,三星DDR5还具有纠错码(ECC)电路,提高产品可靠性。

内存三巨头纷纷推出DDR5,要实现产品普及,平台支持才是最大问题

2007年,DRAM产业迎来DDR3时代,到了2012年正式步入DDR4,JEDEC规范组织虽然在2017年已经开始制定DDR5标准,但是预计最终规范要到2020年才能完成。这样的更新速度对于瞬息万变的科技界来讲实在不算快。

然而,在2015年时,三星电子就已经开始研究DDR4继任者,披露部分技术细节和规划,计划将其用于服务器、台式机和笔记本电脑。

美光、SK海力士自然不甘落后,纷纷加紧布局。2018年10月,Cadence(铿腾)和美光已经开始研发16Gb容量的DDR5产品,其中,DRAM来自美光,接口层自研,采用台积电7nm工艺,数据传输速度可达4400 MT/s,也就是频率高达4400MHz。

2020年1月,美光科技宣布,基于1znm制程技术的DDR5 RDIMM已开始送样,DDR5采用先进的DRAM技术,而且性能相较上一代DDR4提高85%以上,内存密度也提高了一倍,从而满足下一代服务器工作负载及数据中心系统对内存高带宽和高容量的要求。


DDR5性能增长图

SK海力士于2018年11月宣布成功开发基于1ynm 工艺的16Gb DDR5 DRAM,支持5200Mbps的数据传输速率,比上一代的3200Mbps快约60%,每秒可处理41.6GB数据或11个全高清视频文件(每个3.7GB),并在2019年发布DDR5-6400内存芯片,计划在2020年规模化量产。


图片来源:网络

此外,在CES 2020上,SK海力士展示了具有ECC校验的 64GB DDR5 RDIMM 内存模组。其型号为 HMCA8GR8MJR4C-EB,标称数据传输速率为 4800 MT/s。该模组包含了 20 颗 H5CNAG4NMJ 存储芯片,以及 IDT P8900-Z2 寄存器时钟驱动器(RCD)。


SK海力士DDR5 RDIMM样品图片

虽然,各大内存厂商纷纷推出了DDR5存储产品,但是真正要实现DDR5的普及平台的支持才是最大的问题。但是,目前还没有正式支持DDR5内存的平台,AMD预计会在2021年的Zen4处理器上更换插槽,支持DDR5内存,而Intel这边14nm及10nm处理器都没有明确过DDR5内存支持,官方路线图显示2021年的7nm工艺Sapphire Rapids处理器才会上DDR5,而且是首发服务器产品,消费级的估计还要再等等。